PECVD制备氢化非晶硅薄膜的氢含量研究

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３３２・　材料导报　２０１１年５月第２５卷专辑１７　

ＰＥＣＶＤ制备氢化非晶硅薄膜的氢含量研究　

王祖强，王丹名，林伟王一博躲在头盔里哭，吕祖彬儿歌串烧50首mp下载，张　宇，金永珉　

（成都京东方光电科技有限公司赵荣博客，成都６１１７３１）　

摘要　采用等离子增强化学气相沉积工艺在硅片上制备ａ－Ｓｉ：Ｈ薄膜，用傅里叶变换红外光谱仪测试薄膜的　

红外光谱吸收峰excite。研究了衬底温度、工艺压强和氢气稀释比对ａ－Ｓｉ：Ｈ薄膜中氢含量的影响西门町老人。结果表明歌曲中国娃，随着衬底　

温度升高goog le，氢含量显著减小；压强增大时，氢含量也增大；氢气稀释比增大，氢含量反而减小。选择适当的工艺参数企业年会ae模板，　

可以控制ａ－Ｓｉ：Ｈ薄膜的氢含量舞曲，从而改善ａ－Ｓｉ：Ｈ薄膜性能和微结构。研究结果对低温多晶硅制造工艺也有一定　

的指导意义。　

关键词　氢化非晶硅氢含量衬底温度工艺压强稀释比ＦＴＩＲ　

文献标识码：Ａ　中图分类号：ＴＮ３０４　

Ｓｔｕｄｙ　ｏｎ　ｔｈｅ　Ｈｙｄｒｏｇｅｎ　Ｃｏｎｔｅｎｔ　ｏｆ　Ｈｙｄｒｏｇｅｎａｔｅｄ　Ａｍｏｒｐｈｏｕｓ　Ｓｉｌｉｃｏｎ　

Ｔｈｉｎ　Ｆｉｌｍ　Ｐｒｅｐａｒｅｄ　ｂｙ　ＰＥＣＶＤ　

ＷＡＮＧ　Ｚｕｑｉａｎｇ我不配歌词，ＷＡＮＧ　Ｄａｎｍｉｎｇ太狼，ＬＩＮ　Ｗｅｉ，ＬＵ　Ｚｕｂｉｎae，ＺＨＡＮＧ　Ｙｕ，Ｋｉｍ　Ｙ．Ｍ．　

（Ｃｈｅｎｇｄｕ　ＢＯＥ　Ｏｐｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ　Ｃｏ．，Ｌｔｄ，Ｃｈｅｎｇｄｕ　６１１７３１）　

Ａｂｓｔｒａｃｔ　Ａ—Ｓｉ：Ｈ　ｆｉｌｍ　ｗａｓ　ｐｒｅｐａｒｅｄ　ｂｙ　ｐｌａｓｍａ　ｅｎｈａｎｃｅｄ　ｃｈｅｍｉｃａｌ　ｖａｐｏｒ　ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ　ｐｒｏｃｅｓｓ．Ｆｏｕｒｉｅｒ－ｔｒａｎｓ—　

ｆｏｒｍ　ｉｎｆｒａｒｅｄ　ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｅｒ　ｗａｓ　ｕｓｅｄ　ｔｏ　ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｚｅ　ｔｈｅ　ｉｎｆｒａｒｅｄ　ｓｐｅｃｔｒａｌ　ｆｅａｔｕｒｅ　ｏｆ　ｆｉｌｍｓ　ｄｅｐｏｓｉｔｅｄ　ｏｎ　ｔｈｅ　ｓｉｌｉｃｏｎ　ｃｈｉｐ．　

Ｔｈｅ　ｅｆｆｅｃｔｓ　ｏｆ　ｔｈｅ　ｓｕｂｓｔｒａｔｅ　ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ皮皮漫画免费版app下载，ｐｒｏｃｅｓｓ　ｐｒｅｓｓｕｒｅ　ａｎｄ　ｈｙｄｒｏｇｅｎ　ｄｉｌｕｔｉｏｎ　ｒａｔｉｏ　ｏｎ　ｔｈｅ　ｈｙｄｒｏｇｅｎ　ｃｏｎｔｅｎｔ　ｏｆ　ｔｈｅ　

ｆｉｌｍｓ　ａｒｅ　ａｎａｌｙｚｅｄ．Ｔｈｅ　ｒｅｓｕｌｔ　ｓｈｏｗｅｄ　ｔｈａｔ　ｔｈｅ　ｈｙｄｒｏｇｅｎ　ｃｏｎｔｅｎｔ　ｏｆ　ｔｈｅ　ｆｉｌｍｓ　ｉｎｃｒｅａｓｅｓ　ｗｉｔｈ　ｄｅｃｒｅａｓｉｎｇ　ｓｕｂｓｔｒａｔｅ　ｔｅｒｎ—　

ｐｅｒａｔｕｒｅ　ｅｖｉｄｅｎｔｌｙ。ａｓ　ｗｅｌｌ　ａｓ　ｗｉｔｈ　ｌｏｗｅｒｉｎｇ　ｐｒｏｃｅｓｓ　ｐｒｅｓｓｕｒｅ　ｏｒ　ｒｅｄｕｃｉｎｇ　ｔｈｅ　ｈｙｄｒｏｇｅｎ　ｄｉｌｕｔｉｏｎ　ｒａｔｉｏ　ｉｎｄｉｖｉｄｕａｌｌｙ．　

Ｔｈｅｓｅ　ｐｒｏｐｏｓｅｄ　ｔｈａｔ　ｃｏｎｔｒｏｌｌｉｎｇ　ｈｙｄｒｏｇｅｎ　ｃｏｎｔｅｎｔ　ｂｙ　ｐｒｏｐｅｒ　ｐｒｏｃｅｓｓ　ｐａｒａｍｅｔｅｒｓ　ｃｏｕｌｄ　ｉｍｐｒｏｖｅ　ｔｈｅ　ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ　ａｎｄ　ｍｉ—　

ｃｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ　ｏｆ　ｔｈｅ　ａ－Ｓｉ：Ｈ　ｆｉｌｍ．Ｉｔ　ｉＳ　ａ　ｍｅａｎｉｎｇｆｕｌ　ｒｅｆｅｒｅｎｃｅ　ｆｏｒ　ＬＴＰＳ　ｍａｎｕｆａｃｔｕｒｉｎｇ　ａｓ　ｗｅｌ１．　

Ｋｅｙ　ｗｏｒｄｓ　ｈｙｄｒｏｇｅｎａｔｅｄ　ａｍｏｒｐｈｏＵＳ　ｓｉｌｉｃｏｎ，ｈｙｄｒｏｇｅｎ　ｃｏｎｔｅｎｔ，ｓｕｈｓｔｒａｔｅ　ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ下一站是幸福歌词，ｐｒｏｃｅｓｓ　ｐｒｅｓｓｕｒｅ老婆老婆我爱你简谱，ｄｉ—　

ｌｕｔｉｏｎ　ｒａｔｉｏ．ＦＴＩＲ　

氢化非晶硅（Ｈｙｄｒｏｇｅｎａｔｅｄ　ａｍｏｒｐｈｏｕｓ　ｓｉｌｉｃｏｎ余文乐的潮牌，ａ—Ｓｉ：　

Ｈ）薄膜晶体管有源矩阵液晶显示器因其独特的优势Ｌ１］，已经　

成为当今液晶显示的主流干露露照片。对ａ－Ｓｉ：Ｈ薄膜的研究日臻完　

善，为低温多晶硅（Ｌｏｗ　ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ　ｐｏｌｙ－ｓｉｌｉｃｏｎ半城山半城水，ＬＴＰＳ）打　

１　实验　

采用ＰＥＣＶＤ系统ukba，进行辉光放电情花 本兮，Ｓｉｌ　分解而生成ａ－　

Ｓｉ：Ｈ薄膜。化学反应是：　

ＳｉＨ４（ｇ）—　Ｓｉ（ｓ）＋２Ｈ２（ｇ）　

下基础音乐小游戏。氢原子在ａ－Ｓｉ：Ｈ中的含量和结合状态是影响材　

料的微结构、光学和电学特性的主要因素西湖畔。一方面，在ａ－Ｓｉ：　

Ｈ薄膜的禁带中有大量的局域态，氢原子通过钝化作用降低　

了悬挂键的密度。通常无掺杂的非晶硅薄膜悬挂键密度可　

达到１×１０　ｃｍ　或更高在线mtv，用等离子增强化学气相沉积（Ｐｌａｓ—　

利用这种“Ｈ　稀释”法可以获得高电导率、高性能的　

ａ－Ｓｉ：Ｈ薄膜one and only。如表１所示箫独奏，是各参数的典型值。　

采用傅里叶变换红外光谱仪（Ｆｏｕｒｉｅｒ－ｔｒａｎｓｆｏｒｍ　ｉｎｆｒａ－　

ｒｅｄ乖乖隆地洞，ＦＴＩＲ）进行红外测试（测试范围为４００～４０００ｃｍ　）your are not alone，分　

析ａ—Ｓｉ：Ｈ薄膜氢含量及硅氢成键模式芥川慈郎，用膜厚仪测量薄膜　

ｍａ　ｅｎｈａｎｃｅｄ　ｃｈｅｍｉｃａｌ　ｖａｐｏｒ　ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ，ＰＥＣｖＤ）法制备的　

ａ－Ｓｉ：Ｈ中的悬挂键密度下降到了１×１０　～１×１０“ｃｍ～，氢　

含量为ｌＯ　～３Ｏ　爱情供养。另一方面，ａ－Ｓｉ：Ｈ中氢含量会直接影　

样品的厚度；用扫描电镜（Ｓｃａｎｎｉｎｇ　ｅｌｅｃｔｒｏｎ　ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ，　

ＳＥＭ）观察薄膜表面形貌。　

响到薄膜的微结构，进而影响其电学性能女子十二乐坊 日本。　

本文以氢气稀释的硅烷为前驱物，用ＰＥＣＶＤ制备　

ａ—ｓｉ：Ｈ薄膜，研究了衬底温度、工艺气体压强、气体比例等　

工艺参数对ａ－Ｓｉ：Ｈ薄膜中氢含量的影响电视剧神话的主题曲。　

２结果与分析　

２．１衬底温度对ａ－Ｓｉ：Ｈ薄膜氢含量的影响　

ａ－Ｓｉ：Ｈ薄膜红外吸收峰强度正比于薄膜中氢的浓　

度　蓝精灵电影插曲。可以利用ＦＴＩＲ光谱的吸收峰强度来很方便地确定薄　

王祖强：男，１９８０年生，硕士，高级工程师，主要从事Ｔ盯及ＬＴＰＳ　ＡＭＯＬＥＤ等工艺开发与研究工作　

ｍａｉｌ：ｗａｎｇｚｕｑｉａｎｇ＠ｂｏｅ．ＣＯｍ．ｃ

ｎ　

ＰＥＣＶＤ制备氢化非晶硅薄膜的氢含量研究／王祖强等　

膜中的氢含量唠叨歌词。其结果与经验公式计算结果一致［２］良宵二胡简谱。　

氢在ａ－Ｓｉ：Ｈ薄膜中以多种组态形式存在，Ｓｉｌ、Ｓｉｌ２、　

（Ｓｉｌ。）ｎ等形式离不开的离别，其中Ｓｉｌ组态较稳定　］小姑不贤。红外吸收谱不仅　

・３３３・　

升高逐渐减小。这表明ceremony，衬底温度较低时（ＳｉＨ。）ｎ的含量较　

高，衬底升高ａ－Ｓｉ：Ｈ薄膜中（Ｓｉｌ　）　的含量减少。总之，在　

衬底温度较低时制备的ａ－Ｓｉ：Ｈ薄膜含有较多二氢和多氢　

能反映出ａ－Ｓｉ：Ｈ薄膜中的氢含量陶笛天空之城，还能反映出薄膜中硅氢　硅化物　公仆赞。　

的组态和键合模式。如表２所示，对于ａ－Ｓｉ：Ｈ薄膜的红外　

吸收谱合唱网，可分成吸收峰位于６３０～６４０ｃｍ　的摇摆振动模　

（Ｓｗｉｎｇ）、８８０～８９０　ｃｍ　的剪切振动模（Ｂｅｎｄ）和２０９０～　

２１００ｃｍ　的伸展模（Ｓｔｒｅｔｃｈ）gratitude。　

表１　ＰＥＣＶＤ制备ｗＳｉ：Ｈ薄膜主要参数典型值　

Ｔａｂｌｅ　１　Ｋｅｙ　Ｐｒｏｃｅｓｓ　Ｐａｒａｍｅｔｅｒｓ　ｏｆ　ａ－Ｓｉ：Ｈ　

Ｔｈｉｎ　Ｆｉｌｍ　ｂｙ　ＰＥＣＶＤ　

Ｐｒｏｃｅｓｓ　ｐａｒａｍｅｔｅｒｓ　

Ｓｕｂｓｔｒａｔｅ　ｔｅｍｐ／℃　

２ＯＯ～３５Ｏ　

ＲＦ　ｐｏｗｅｒ　ｆ　

３００￣５００　

ＲＦ　ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ／ＭＨｚ　

１３．５６　

Ｐｒｏｃｅｓｓ　ｐｒｅｓｓｕｒｅ／Ｐａ　

３１７２Ｏ～５５５１０　

Ｈ２　ｆｌｏｗ／ｓｅｅｍ　

３０００￣５０００　

ＳｉＨ　ｆｌｏｗ／ｓｅｅｍ　

５Ｏ０～２５Ｏ０　

表２　ａ－Ｓｉ：Ｈ组态的振动模式和频率　

Ｔａｂｌｅ　２　Ｏｓｃｉｌｌａｔｉｏｎ　ｍｏｄｅ　ａｎｄ　ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ　ｏｆ　ｎｏｒｍａｌ　

ｃｏｎｆｉｇｕｒａｔｉｏｎｓ　ｏｆ　ａ－Ｓｉ：Ｈ　

图１不同衬底温度下ａ－Ｓｉ：Ｈ薄膜在５５０￣６５０ｃｍ－　范围　

内的ＦＨＲ吸收谱和Ｈ含量随着衬底温度的变化趋势　

Ｆｉｇ．１　ｓｓｏ～６５０ｃｍ－　ｉｎｆｒａｒｅｄ　ａｂｓｏｒｐｔｉｏｎ　ｓｐｅｃｔｒａｏｆａ－Ｓｉ：Ｈ　

ｔｈｉｎ　ｆｉｌｍ　ｆｏｒ　ｄｉｆｆｅｒｅｎｔ　ｓｕｂｓｔｒａｔｅ　ｔｅｍｐ．ａｎｄ　Ｖａｒｉａｔｉｏｎ　ｏｆ　

ｈｙｄｒｏｇｅｎ　ｃｏｎｔｅｎｔ　ＶＳ　ｓｕｂｓｔｒａｔｅｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ　

一

２７０℃　

一　

一．一…＿一‘—～～　一　

一　

一３Ｏ０℃　

图１（ａ）是不同衬底温度（２７０℃、３００℃和３３０℃）下　

★．●．．－★一★。★　●　●．．－．‘●　●。★‘　

－．★　★一★一★　★一★　★一★一★。★一★　★一★一★一★—★．★

ａ－Ｓｉ：Ｈ薄膜在５５０￣６５０ｃｍ叫范围内的ＦＴＩＲ吸收谱共和国的旗帜。位于　

beyonce演唱会。　

・一３３０￣Ｃ　

６３０￣６４０ｃｍ　的吸收峰对应于ａ－Ｓｉ：Ｈ薄膜的摇摆模。可　

Ｌ＾ｆ．Ｊ．¨▲．　Ⅲ“－“ｎ．－．－“★▲★“　＾ｎ▲。　

以清楚地看到孙小宝蹦的八大扯，随着衬底温度的升高，吸收峰强度逐渐降低。　

这表明随着衬底温度升高my god，ａ－Ｓｉ：Ｈ薄膜中氢的含量在减少爱情里的眼泪简谱。　

８ＺＯ　８４０　８６０　８８０　

Ｗａｖｅ　ａｎｔｕｂｅｒ／ｅｒａ一　

如图１（ｂ）所示王君安玉蜻蜓，衬底温度从２７０℃升高到３３０℃，硅氢键百分　

比含量从１５．４　减小到１２．７　红旗飘飘伴奏下载。在ＬＴＰＳ制造工艺中陈奕迅陀飞轮，通常　

图２不同衬底温度下ａ－Ｓｉ：Ｈ　

把ａ－Ｓｉ通过准分子激光退火（Ｅｘｃｉｍｅｒ　ｌａｓｅｒ　ａｎｎｅａｌｉｎｇ魏枫，　

薄膜在８２０￣８８０ｃｍ叫范围内ＦｒｌＲ吸收谱　

ＥＬＡ）等方法转化成多晶硅（Ｐｏｌｙｓｉｌｉｃｏｎ，ｐ－Ｓｉ）。为了防止在　

Ｆｉｇ．２　８２０￣８８０ｃｍ一　ｉｎｆｒａｒｅｄ　ａｂｓｏｒｐｔｉｏｎ　ｓｐｅｃｔｒａ　ｏｆ　

晶化（Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ）时出现氢爆（Ａｂｌａｔｉｏｎ）现象电路图讲解，ａ－Ｓｉ：Ｈ　

ａ－Ｓｉ：Ｈ　ｔｈｉｎ　ｆｉｌｍ　ｆｏｒ　ｄｉｆｆｅｒｅｎｔ　ｓｕｂｓｔｒａｔｅ　ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ　

薄膜要经过脱氢处理十二道锋味主题曲，把氢含量控制在３　以内［４］sorry that i loved you。有研究　

图３给出了不同衬底温度下ａ－Ｓｉ：Ｈ薄膜在１８００～　

表明［２］，衬底温度较高时动物世界 薛之谦，会导致氢的过度释放天女散花章子怡，氢含量减　

２２００ｅｍ　范围内ＦＴＩＲ吸收谱我相信mp。在２０００ｃｍ　附近的吸收峰　

少，缺陷态会增加芳年，薄膜光电性能降低。一般把衬底温度控　

是Ｓｉ－Ｈ键的伸展模，随着温度升高吸收峰向低波数方向偏　

制在３００￣３５０℃，可以制备出ＴＩ　器件级ａ－Ｓｉ：Ｈ薄膜。　

移，ａ－Ｓｉ：Ｈ薄膜中二氢或多氢硅化物在减少，单氢硅化物　

图２给出了不同衬底温度下制备的ａ－Ｓｉ：Ｈ薄膜在　

（ＳｉＨ）开始占主导地位不想说再见。热处理实验表明单氢硅化物为主的　

８２０－－￣８８０ｃｍ　范围内的ＦＴＩＲ吸收谱一剪梅伴奏。在８４０ｃｍ叫附近的峰　

ａ－Ｓｉ：Ｈ薄膜的热稳定性比Ｓｉｌ２或（Ｓｉｌ２）　更强　］。　

位对应于多氢聚合物（ｓｉＨｚ）ｎ的剪切模，峰的强度随着温度　

氢含量对薄膜的微结构也有影响99版100元人民币价格。Ｂ　Ｔｕｔｔｌｅ等Ⅲ指出王爷与邮差，

ＰＥＣＶＤ制备氢化非晶硅薄膜的氢含量研究／王祖强等　

２．３氢稀释比对ａ－Ｓｉ：Ｈ薄膜氢含量的影响　

图６是不同Ｈ２稀释比制备的ａ－Ｓｉ：Ｈ薄膜在５５０～　

６５０ｃｍ　范围内的ＦＴＩＲ吸收谱和氢含量随着稀释比的变化　

趋势。随着氢稀释比（Ｈ　／ＳｉＨ　）的增加matzka，薄膜中氢的含量会　

相应减少著名音乐家。与Ｍ．Ｓｉｌｉｎｓｋａｓ等［１　］的研究结果一致。当ＳｉＨ　

浓度减小到一定程度后，薄膜中出现Ｓｉｌ。键组分秋天的玫瑰歌词，当氢稀释　

比高于６：１时笑看天下，薄膜中以多Ｈ组态为主导，高浓度的氢原子　

・３３５・　

５　Ｍ　Ｃａｒｄｏｎａ．Ｖｉｂｒａｔｉｏｎａｌ　ｓｐｅｃｔｒａ　ｏｆ　ｈｙｄｒｏｇｅｎ　ｉｎ　ｓｉｌｉｃｏｎ　ａｎｄ　

ｇｅｒｍａｎｉｕｍ［Ｊ］．Ｐｈｙｓ　Ｓｔａｔｕｓ　Ｓｏｌｉｄ　Ｂ，１９８３billy graham，１１８（２）：４６３　

６廖乃曼．氢化非晶硅薄膜制备及其微结构和光电性能研究　

［Ｄ］．成都：电子科大博士论文慢嗨，２００９　

７　Ｔｕｔｔｌｅ　Ｂ，Ａｄａｍｓ　Ｊ　Ｂ　Ｅｎｅｒｇｅｔｉｃ　ｏｆ　ｈｙｄｒｏｇｅｎ　ｉｎ　ａｍｏｒｐｈｏｕｓ　

ｓｉｌｉｃｏｎ：Ａｎ　ａｂ　ｉｎｉｔｉｏ　ｓｔｕｄｙ［Ｊ］．Ｐｈｙｓ　Ｒｅｖ：Ｂ黑安息日，１９９８粉红豹1下载，５７（２０）：　

１２５８９　

不断向生长表面冲击，会打断原本结合的Ｓｉ－Ｈ键，从而使得　

８　Ｋｅｓｓｅｌｓ　Ｗ　Ｍ　Ｍ，Ｓｍｅｔｓ　Ａ　Ｈ　Ｍ圣诞背景音乐，Ｍａｒｒａ　Ｄ　Ｃ火影忍者的片尾曲，ｅｔ　ａ１．Ｏｎ　ｔｈｅ　

ｇｒｏｗｔｈ　ｍｅｃｈａｎｉｓｍ　ｏｆ　ａ－Ｓｉ：Ｈ［Ｊ］．Ｔｈｉｎ　ｏｌＳｉｄ　Ｆｉｌｍｓ，２００１，　

大量的氢原子重新回到等离子体中，因此薄膜中的氢原子含　

量反而会减少［１引萝球社 。此外趣聊，随着氢稀释比的增加真的想见你，沉积的薄膜　

３８３（１５）：１５０　

会趋于从非晶态转向微晶态与非晶态的混合体myzone，且沉积速率　

９　Ｔｓａｉ　Ｃ　Ｃ，Ｋｎｉｇｈｔｓ　Ｊ　Ｃ，Ｃｈａｎｇ　Ｇ，ｅｔ　ａ１．Ｆｉｌｍ　ｆｏｒｍａｔｉｏｎ　

下降较快Ｌ１　2012sbs歌谣大战。因此追逐繁星的孩子下载，氢稀释比不宜用于控制和调节薄膜中氢　

ｍｅｃｈａｎｉｓｍｓ　ｉｎ　ｔｈｅ　ｐｌａｓｍａ　ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ　ｏｆ　ｈｙｄｒｏｇｅｎａｔｅｄ　ａｌ＂ｎｏｒ—　

含量。　。　

ｐｈｏｕｓ　ｓｉｌｉｃｏｎ［Ｊ］．Ｊ　Ａｐｐｌ　Ｐｈｙｓ，１９８６寂寞星球的玫瑰，５９（８）：２９９８　

１０　Ｓｍｅｔｓ　Ａ　Ｈ　Ｍ，Ｋｅｓｓｅｌｓ　Ｗ　Ｍ　Ｍ，Ｓａｎｄｅｎ　Ｍ　Ｖａｃａｎｃｉｅｓ　ａｎｄ　

３结论　

ｖｏｉｄｓ　ｉｎ　ｈｙｄｒｏｇｅｎａｔｅｄ　ａｍｏｒｐｈｏｕｓ　ｓｉｌｉｃｏｎ［Ｊ］．Ａｐｐｌ　Ｐｈｙｓ　

采用ＰＥＣＶＤ制备ａ－Ｓｉ：Ｈ薄膜我要跳舞，用ＦＴＩＲ分析薄膜中　

Ｌｅｔｔ鲁若晴，２００３，８２（１Ｏ）：１５４７　

氢含量，用ＳＥＭ观察表面形貌发现衬底温度对ａ－Ｓｉ：Ｈ薄　

ｌ１　Ａｋｉｈｉｓａ　Ｍ，Ｍａｄｏｋａ　Ｔ古古香的歌曲，Ｔｏｍｏｎｏｎｒｉ　Ｎ，ｅｔ　ａ１．Ｃｏｎｔｒｏｌ　ｏｆ　

膜的氢含量影响最为显著zerone，随着衬底温度的升高，氢含量减　

ｐｌａｓｍａ　ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ　ｆｏｒ　ｐｒｅｐａｒｉｎｇ　ｈｉｇｈｌｙ　ｓｔａｂｉｌｉｚｅｄ　ａｍｏｒｐｈｏｕｓ　

小bii，一般把衬底温度控制在３００　３５０℃；ａ－Ｓｉ：Ｈ薄膜的氢　

ｓｉｌｉｃｏｎ　ａｔ　ｈｉｇｈ　ｇｒｏｗｔｈ　ｒａｔｅ［Ｊ］．Ｓｏｌａｒ　Ｅｎｅｒｇ　Ｍａｔｅｒ　Ｓｏｌａｒ　

Ｃｅｌｌｓ，２００２，７８（１－４）：３　

含量随压强增大而增大假行僧 崔健，但考虑到沉积速率和薄膜的致密　

１２　Ｍａｒｉｎｏｖ　Ｍ拍手歌，Ｚｏｔｏｖ　Ｎ．Ｍｏｄｅｌ　ｉｎｖｅｓｔｉｇａｔｉｏｎ　ｏｆ　ｔｈｅ　Ｒａｍａｎ　

度，应该把压强控制在３３２．５～３９９Ｐａ；Ｈ　流量越大，稀释比　

越大新天下贰，ａ－Ｓｉ：Ｈ薄膜中氢含量反而减少，合理的稀释比一般不　

ｓｐｅｃｔｒａ　ｏｆａｍｏｒｐｈｏｕｓ　ｓｉｌｉｃｏｎ［Ｊ］．Ｐｈｙｓ　Ｒｅｖ　Ｂ，１９９７，５５（５）：　

２９３８　

超过６：１，Ｈ　流量不宜用于调节ａ－Ｓｉ：Ｈ薄膜的氢含量郑成河吉他。　

１３　Ｗｅｉ　Ｗ　Ｓ，Ｘｕ　Ｇ　Ｙ观刈麦 白居易，Ｗａｎｇ　Ｊ　Ｌblue spark，ｅｔ　ａ１．Ｒａｍａｎ　ｓｐｅｃｔｒａ　ｏｆ　ｉｎ—　

本文研究成果对于制备高质量的ａ－Ｓｉ：Ｈ薄膜具有指导作　

ｔｒｉｎｓｉｃ　ａｎｄ　ｄｏｐｅｄ　ｈｙｄｒｏｇｅｎａｔｅｄ　ｎａｎｏｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ　ｓｉｌｉｃｏｎ　ｆｉｌｍｓ　

用天竺少女歌词，同时对基于ａ－Ｓｉ的ＬＴＰＳ工艺也具有借鉴意义。　

［Ｊ］．Ｖａｃｕｕｍ，２００７平凡英雄，８１（５）：６５６　

参考文献　

１４　Ｓｉｌｉｎｓｋａｓ　Ｍ荣耀9和小米6哪个好，Ｇｒｉｇｏｎｉｓ　Ａ，Ｋｕｌｉｋａｕｓｋａｓ　Ｖ幸福的日子，ｅｔ　ａ１．Ｈｙｄｒｏｇｅｎ　

ｉｎｆｌｕｅｎｃｅ　ｏｎ　ｔｈｅ　ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ　ａｎｄ　ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ　ｏｆ　ａｍｏｒｐｈｏｕｓ　ｈｙ—　

１　ＨｏｎｇＪａｅ　Ｓｈｉｎhome westlife，ＢｙｕｎｇＨｙｕｎ　Ｐａｒｋthe other side，ｅｔ　ａ１．Ａ　ｎｏｖｅｌ　ｈｉｇｈ　ｒｅｌｉａ—　

ｄｒｏｇｅｎａｔｅｄ　ｃａｒｂｏｎ　ｆｉｌｍｓ　ｄｅｏｐｓｉｔｅｄ　ｂｙ　ｄｉｒｅｃｔ　ｉｏｎ　ｂｅａｍ［Ｊ］．　

ｂｌｅ　ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ　ｇａｔｅ　ｄｒｉｖｅｒ　ｗｉｔｈ　Ｂｉ－ｓｃａｎｎｉｎｇ　ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ　ｕｓｉｎｇ　ａ－　

Ｔｈｉｎ　Ｓ０ｌｉｄ　Ｆｉｌｍｓ，２００８磨房论坛，５１６（８）：６８３　

Ｓｉ　ＴＦＴ　ｆｏｒ　ｌａｒｇｅ　ｓｉｚｅ　ＦＨＤ　ＴＦＴ－ＬＣＤ　ＴＶｓ［Ｃ］／／ＳＩＤ　Ｓｙｍ—　

１５　Ｄａｏｕａｈｉ　Ｍ中国摇滚，Ｚｅｌｌａｍａ　Ｋ，Ｂｏｕｃｈｒｉｈａ　Ｈ，ｅｔ　ａ１．Ｅｆｆｅｃｔ　ｏｆ　ｔｈｅ　

ｐｏｓｉｕｍ　Ｄｉｇｅｓｔ　Ｓｅａｔｔｌｅ．ＵＳＡ，２０１０：３５　

ｈｙｄｒｏｇｅｎ　ｄｉｌｕｔｉｏｎ　ｏｎ　ｔｈｅ　ｌｏｃａｌ　ｍｉｃｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ　ｉｎ　ｈｙｄｒｏｇｅｎａ－　

２　Ｌａｎｇｆｏｒｄ　Ａ　Ａmothers day，Ｆｌｅｅｔ　Ｍ　Ｌ，Ｎｅｌｓｏｎ　Ｂ　Ｐ哔哔歌，ｅｔ　ａ１．Ｉｎｆｒａｒｅｄ　ａｂ—　

ｔｅｄ　ａｍｏｒｐｈｏｕｓ　ｓｉｌｉｃｏｎ　ｆｉｌｍｓ　ｄｅｐｏｓｉｔｅｄ　ｂｙ　ｒａｄｉｏｆｒｅｑｕｅｎｃｙ　

ｓｏｒｐｔｉｏｎ　ｓｔｒｅｎｇｔｈ　ａｎｄ　ｈｙｄｒｏｇｅｎ　ｃｏｎｔｅｎｔ　ｏｆ　ｈｙｄｒｏｇｅｎａｔｅｄ　ａ—　

ｍａｇｎｅｔｒｏｎ　ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ［Ｊ］．Ｅｕｒ　Ｐｈｙｓ　Ｊ　Ａｐｐｌ　Ｐｈｙｓ，２０００，１０　

ｍｏｒｐｈｏｕｓ　ｓｉｌｉｃｏｎ　ＥＪ］．Ｐｈｙｓ　Ｒｅｖ　Ｂ，１９９２，４５（２３）：１３３６７　

（３）：１８５　

３　Ｙａｍａｈａｋａ美女热舞视频，Ｙｕｔａｋａ　Ｈａｙａｓｈｉ，Ｉｓａｏ　Ｓａｋａｔａ．Ｅｆｆｅｃｔ　ｏｆ　ｖｉｓｉｂｌｅ　

１６　Ｋｒｏｌｌ　Ｕ斗破苍穹免费下载，Ｍｅｉｅｒ　Ｊ，Ｔｏｒｒｅｓ　Ｐ，ｅｔ　ａ１．Ｆｏｒｍ　ａｍｏｒｐｈｏｕｓ　ｔｏ　ｍｉ—　

ｌｉｇｈｔ　ｉｌｌｕｍｉｎａｔｉｏｎ　ｏｎ　ｔｈｅ　ｇｒｏｗｉｎｇ　ｓｕｒｆａｃｅ　ｏｆ　ａｎ　ａ－Ｓｉ：Ｈ　ｆｉｌｍ　

ｃｒｏｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ　ｓｉｌｉｃｏｎ　ｆｉｌｍｓ　ｐｒｅｐａｒｅｄ　ｂｙ　ｈｙｄｒｏｇｅｎ　ｄｉｌｕｔｉｏｎ　ｕ—　

ｉｎ　ｐｌａｓｍａ　ｄｅｃｏｍｐｏｓｉｔｉｏｎ　ｏｆ　ＳｉＨ４　Ｅ　Ｊ－１．Ｊｐｎ　Ｊ　Ａｐｐｌ　Ｐｈ　，　

ｓｉｎｇ　ｔｈｅ　ＶＨＦ（７０ＭＨｚ）ＧＤ　ｔｅｃｈｎｉｑｕｅ［Ｊ］．Ｎｏｎ－Ｃｒｙｓｔ　Ｓｏ－　

１９９０，２９（２）：２１７　．　

ｌ

ｉｄｓ，１９９８，２３０（２０）：６８　

４陈志强．低温多晶硅显示技术［Ｍ］．北京：科学出版社，　

２００６：１０２